[发明专利]能够快速骤回的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其实现方法在审
| 申请号： | 201910199404.0 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111697067A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 樱井建弥;吴磊 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够快速骤回的逆导型绝缘栅双极型晶体管RC‑IGBT及其实现方法，其包括：主区域，其包括非有源区、IGBT部分以及FWD部分，非有源区包括栅极流道与边缘终端；主区域的每一块中多个IGBT部分以及FWD部分间隔分布，各块之间设置有第一栅极流道，各块外围设置有第二栅极流道，第一栅极流道与第二栅极流道贯通，第二栅极流道外围包设有边缘终端；非有源区产生电流密度大于预设阈值的电子流；主区域的下方设置有n‑型漂移区，n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，n+型缓冲区的下方设置p+型集电极区及n+阴极区，n+阴极和p+型集电极区域通过背面接触短接，p+型集电极区的下方连接集电极。本发明能改善骤回性能，实现RC‑IGBT的Vce快速恢复。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 快速 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
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