[发明专利]氢效应试验箱和系统有效
申请号: | 201910197842.3 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN109904099B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 席善斌;裴选;彭浩;高金环;张魁;高东阳 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 高欣 |
地址: | 050051 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明适用于电子元器件可靠性评价技术领域,提供了一种氢效应试验箱和系统。该系统包括:供电模块、氢浓度控制模块、控温模块、抽真空模块、参数测试模块和氢效应试验箱;其中,抽真空模块将氢效应试验箱内部设置为真空状态,以使氢浓度控制模块将预设浓度的氢气排入氢效应试验箱内部;控温模块控制氢效应试验箱内部的温度;供电模块对试验器件施加偏置电压,参数测试模块监测施加偏置电压后的试验器件的参数变化值。本发明能够精确控制试验箱中的温度和氢气浓度,还可以给试验器件施加偏置电压并监测试验器件的参数变化值,从而评价氢气浓度对试验器件的参数的影响。 | ||
搜索关键词: | 效应 试验 系统 | ||
【主权项】:
1.一种氢效应试验箱,包括金属腔体、气体分流管道、真空法兰盘和温度控制设备,其特征在于,所述气体分流管道和所述温度控制设备均设置在所述金属腔体的内部;其中,所述金属腔体的侧壁上设置进气孔,所述气体分流管道通过所述进气孔与所述金属腔体连接;所述真空法兰盘设置在所述金属腔体的侧壁上,所述真空法兰盘的第一接线柱通过线缆与所述金属腔体内部的试验器件连接,所述真空法兰盘的第二接线柱适于与外部供电模块和外部参数测试模块连接;氢气通过所述进气孔进入所述气体分流管道,所述气体分流管道将所述氢气排入所述金属腔体中;所述温度控制设备用于将所述金属腔体内部的温度控制在预设值;所述外部供电模块通过所述真空法兰盘对所述试验器件施加偏置电压,所述外部参数测试模块通过所述真空法兰盘获取施加偏置电压前和施加偏置电压后的所述试验器件的参数值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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