[发明专利]氢效应试验箱和系统

权利要求书

1.一种氢效应试验箱，包括金属腔体、气体分流管道、真空法兰盘和温度控制设备，其特征在于，所述气体分流管道和所述温度控制设备均设置在所述金属腔体的内部；

其中，所述金属腔体的侧壁上设置进气孔，所述气体分流管道通过所述进气孔与所述金属腔体连接；所述气体分流管道采用单一的输入口和多个输出口的结构；所述真空法兰盘设置在所述金属腔体的侧壁上，所述真空法兰盘的第一接线柱通过线缆与所述金属腔体内部的试验器件连接，所述真空法兰盘的第二接线柱适于与外部供电模块和外部参数测试模块连接；

氢气通过所述进气孔进入所述气体分流管道，所述气体分流管道将所述氢气排入所述金属腔体中；所述温度控制设备用于将所述金属腔体内部的温度控制在预设值；所述外部供电模块通过所述真空法兰盘对所述试验器件施加偏置电压，所述外部参数测试模块通过所述真空法兰盘获取施加偏置电压前和施加偏置电压后的所述试验器件的参数值。

2.如权利要求1所述的氢效应试验箱，其特征在于，所述金属腔体包括：金属盒体、密封圈和金属盖板；

所述金属盒体的内部设置所述气体分流管道和所述温度控制设备，所述金属盒体的侧壁上设置所述进气孔和所述真空法兰盘；

所述金属盒体通过所述密封圈与所述金属盖板密封连接。

3.如权利要求2所述的氢效应试验箱，其特征在于，所述金属盒体的侧壁上还设置：出气孔；

所述金属腔体内部的废气通过所述出气孔排出。

4.如权利要求1至3任一项所述的氢效应试验箱，其特征在于，所述温度控制设备包括：至少四个温度传感器和至少两个加热丝；

各个所述温度传感器用于检测所述金属腔体内部的温度；各个所述加热丝用于根据各个所述温度传感器检测的温度加热。

5.如权利要求1至3任一项所述的氢效应试验箱，其特征在于，所述氢效应试验箱还包括：包覆在所述金属腔体外侧壁的保温材料；

所述保温材料用于对所述金属腔体的内部进行保温。

6.如权利要求5所述的氢效应试验箱，其特征在于，所述保温材料为氧化铝多晶体纤维材料。

7.一种氢效应试验系统，包括供电模块、氢浓度控制模块、控温模块、抽真空模块和参数测试模块，其特征在于，还包括如权利要求1至6任一项所述的氢效应试验箱；所述供电模块、所述氢浓度控制模块、所述控温模块、所述抽真空模块和所述参数测试模块均与所述氢效应试验箱连接；

所述供电模块用于对所述氢效应试验箱内部的试验器件施加偏置电压；

所述抽真空模块用于将所述氢效应试验箱内部设置为真空状态，以使所述氢浓度控制模块将预设浓度的氢气排入所述氢效应试验箱内部；

所述控温模块用于将所述氢效应试验箱内部的温度控制在预设值；

所述参数测试模块用于监测施加偏置电压后的试验器件的参数变化值。

8.如权利要求7所述的氢效应试验系统，其特征在于，所述氢浓度控制模块包括：氢气供应模块、气氛分析仪和废气收集瓶；

所述氢气供应模块用于根据过流速配比方法将预设浓度的氢气排入到所述氢效应试验箱内部；

所述废气收集瓶用于收集所述氢效应试验箱内部排出的废气；

所述气氛分析仪用于采集所述废气中的氢气浓度，以使所述氢气供应模块根据所述废气中的氢气浓度调节所述预设浓度。

9.如权利要求7所述的氢效应试验系统，其特征在于，所述参数测试模块包括：半导体参数测试仪和参数采集终端；

所述半导体参数测试仪用于监测施加所述偏置电压前和施加所述偏置电压后的试验器件的参数；

所述参数采集终端用于获取所述偏置电压和所述半导体参数测试仪监测的试验器件的参数，并根据所述偏置电压统计所述试验器件的参数变化值。

10.如权利要求7至9任一项所述的氢效应试验系统，其特征在于，所述氢效应试验系统还包括：工控机；所述工控机与所述氢浓度控制模块、所述控温模块和所述抽真空模块均连接；

所述工控机用于控制所述氢浓度控制模块、所述控温模块和所述抽真空模块的启动或关闭。