[发明专利]离子注入剂量的测量装置及其测量方法在审
| 申请号： | 201910189275.7 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109887858A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 杨健;李岩;马富林 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种离子注入剂量的测量装置及其测量方法，所述测量装置包括：导电部件，用于与晶圆的侧壁贴合，在对所述晶圆进行离子注入时，所述导电部件与所述晶圆共同接收注入离子；电流测量仪，所述电流测量仪与所述导电部件电连接，以测量离子注入所述导电部件时形成的电流的电流值，所述电流值用于计算所述晶圆的离子注入剂量。本发明方案可以使得测量装置的接收部件围绕所述晶圆，从而实现对注入离子的直接全时测量，有效降低了误差并提高准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 测量装置 导电部件 离子注入剂量 电流测量仪 注入离子 测量 侧壁贴合 测量离子 接收部件 全时测量 电连接 离子 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入剂量的测量装置，其特征在于，包括：导电部件，用于与晶圆的侧壁贴合，在对所述晶圆进行离子注入时，所述导电部件与所述晶圆共同接收注入离子；电流测量仪，所述电流测量仪与所述导电部件电连接，以测量离子注入所述导电部件时形成的电流的电流值，所述电流值用于计算所述晶圆的离子注入剂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
