[发明专利]离子注入剂量的测量装置及其测量方法在审
| 申请号： | 201910189275.7 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109887858A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 杨健;李岩;马富林 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 测量装置 导电部件 离子注入剂量 电流测量仪 注入离子 测量 侧壁贴合 测量离子 接收部件 全时测量 电连接 离子 | ||
1.一种离子注入剂量的测量装置，其特征在于，包括：
导电部件，用于与晶圆的侧壁贴合，在对所述晶圆进行离子注入时，所述导电部件与所述晶圆共同接收注入离子；
电流测量仪，所述电流测量仪与所述导电部件电连接，以测量离子注入所述导电部件时形成的电流的电流值，所述电流值用于计算所述晶圆的离子注入剂量。
2.根据权利要求1所述的离子注入剂量的测量装置，其特征在于，
所述导电部件为导电环，所述导电环的内壁与所述晶圆的侧壁贴合。
3.根据权利要求2所述的离子注入剂量的测量装置，其特征在于，所述导电环为非金属导电环。
4.根据权利要求3所述的离子注入剂量的测量装置，其特征在于，所述非金属导电环的材料选自石墨以及多晶硅。
5.根据权利要求2所述的离子注入剂量的测量装置，其特征在于，所述导电环包括：金属导电环以及包覆所述金属导电环的非金属导电包覆层；
其中，所述非金属导电包覆层包覆所述金属导电环的全部，或者包覆所述金属导电环接收所述注入离子的区域以及与所述晶圆贴合的区域。
6.根据权利要求2所述的离子注入剂量的测量装置，其特征在于，所述导电环为环状法拉第杯。
7.根据权利要求1所述的离子注入剂量的测量装置，其特征在于，所述导电部件为导电块。
8.根据权利要求7所述的离子注入剂量的测量装置，其特征在于，所述导电块为多个，且围绕所述晶圆的圆周呈均匀分布。
9.根据权利要求1所述的离子注入剂量的测量装置，其特征在于，所述导电部件的宽度小于等于离子注入半径与晶圆半径的差值；
其中，所述宽度的方向平行于所述晶圆的表面，并且自所述晶圆的中心向边缘延伸的方向。
10.基于权利要求1至9任一项所述的离子注入剂量的测量装置的测量方法，其特征在于，包括：
向所述晶圆进行离子注入；
采用所述导电部件与所述晶圆共同接收所述注入离子；
测量离子注入所述导电部件时形成的电流的电流值；
根据所述电流值确定所述导电部件接收到的离子注入剂量DF；
采用下述公式，确定所述晶圆的离子注入剂量：
DW＝DF×SW/SF；
其中，所述DW用于表示所述晶圆的离子注入剂量，所述DF用于表示所述导电部件接收到的离子注入剂量，所述SW用于表示所述晶圆接收所述注入离子的区域的面积，所述SF用于表示所述导电部件接收所述注入离子的区域的面积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
