[发明专利]锗基光波导及其制备方法有效
| 申请号： | 201910185469.X | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN109725384B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 熊文娟;李俊峰;王桂磊;赵雪薇;赵超;亨利·H·阿达姆松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锗基光波导及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在第一衬底上顺序形成第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层，第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层沿远离衬底的方向顺序层叠；S2，在第二氮化硅层中形成与锗籽晶层连通的第一凹槽，并在第一凹槽中填充锗材料以形成脊形波导芯层；S3，形成覆盖第二氮化硅层和脊形波导芯层的第三氮化硅层，第二氮化硅层与第三氮化硅层构成锗基光波导的上包层，第一氮化硅层为锗基光波导的下包层，脊形波导芯层位于上包层和下包层之间。上述结构能够实现锗基波导的透光波段延伸到红外波的7.5μm左右，使具有该锗基光波导的光子集成芯片的工作波长能够扩展至中红外波段。 | ||
| 搜索关键词： | 锗基光 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锗基光波导的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在第一衬底(10)上顺序形成第一氮化硅层(20)、锗籽晶层(410)和第二氮化硅层(510)，所述第一氮化硅层(20)、所述锗籽晶层(410)和所述第二氮化硅层(510)沿远离所述衬底的方向顺序层叠；S2，在所述第二氮化硅层(510)中形成与所述锗籽晶层(410)连通的第一凹槽(511)，并在所述第一凹槽(511)中填充锗材料(420)，以利用所述锗籽晶层(410)和所述锗材料(420)形成脊形波导芯层(40)；S3，形成覆盖所述第二氮化硅层(510)和所述脊形波导芯层(40)的第三氮化硅层(520)，所述第二氮化硅层(510)与所述第三氮化硅层(520)构成所述锗基光波导的上包层，所述第一氮化硅层(20)为所述锗基光波导的下包层，所述脊形波导芯层(40)位于所述上包层和所述下包层之间。
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