[发明专利]一种侧墙结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种侧墙结构的形成方法，在半导体基底上依次沉积第一氧化硅膜层和多晶硅，刻蚀形成多晶硅栅，依次沉积第二氧化硅膜层和第一氮化硅膜层，刻蚀掉半导体基底上方和多晶硅栅顶部的第一氮化硅膜层，多晶硅栅侧壁第一氧化硅膜层之外形成第一侧墙氮化硅膜层，湿法刻蚀去除半导体基底上的第一、第二氧化硅膜层和多晶硅栅顶部的第二氧化硅膜层，在半导体基底上和多晶硅栅上沉积第三氧化硅膜层，在第三氧化硅膜层上依次沉积第四氧化硅膜层和第二氮化硅膜层，干法刻蚀去掉半导体基底上和多晶硅栅顶部的第二氮化硅膜层，在多晶硅栅侧壁第四氧化硅膜层之外形成第二侧墙氮化硅膜层，多晶硅栅侧壁形成氧化硅、氮化硅、氧化硅和氮化硅侧墙结构。

主权项

1.一种侧墙结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上沉积第一氧化硅膜层，在所述第一氧化硅膜层上沉积多晶硅，在多晶硅栅区域上方覆盖光刻胶进行多晶硅刻蚀，形成多晶硅栅，依次沉积第二氧化硅膜层和第一氮化硅膜层，覆盖半导体基底上的第一氧化硅膜层和所述多晶硅栅，用干法刻蚀去除半导体基底上和多晶硅栅顶部的第一氮化硅膜层，保留多晶硅栅侧壁的第一氮化硅膜层，在多晶硅栅侧壁的第二氧化硅膜层之外形成第一侧墙氮化硅膜层；采用湿法刻蚀工艺去除半导体基底上的第一氧化硅膜层、第二氧化硅膜层和多晶硅栅顶部的第二氧化硅膜层；保留多晶硅栅侧壁的第二氧化硅膜层，在多晶硅栅的侧壁形成第一侧墙氧化硅膜层；沉积第三氧化硅膜层，覆盖半导体基底、多晶硅栅、第一侧墙氧化硅膜层和第一侧墙氮化硅膜层；沉积第四氧化硅膜层和第二氮化硅膜层，覆盖所述第三氧化硅膜层；干法刻蚀去除半导体基底上和多晶硅栅顶部的第二氮化硅膜层，保留多晶硅栅侧壁的第二氮化硅膜层，在多晶硅栅侧壁的第三氧化硅膜层之外形成第二侧墙氮化硅膜层，在所述多晶硅栅侧壁形成氧化硅、氮化硅、氧化硅和氮化硅的侧墙结构。