[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201910162651.3 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110518000B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 庄博尧;蔡柏豪;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/58;H01L21/56;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法。提供了半导体器件和制造工艺，其中，第一半导体器件电连接至再分布结构。天线衬底位于第一半导体器件的与再分布结构相对的侧上；以及电连接件与第一半导体器件分隔开，并且将天线结构连接至再分布结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n再分布结构，连接至外部连接件；/n第一半导体器件，连接至所述再分布结构；/n天线衬底，位于所述第一半导体器件的与所述再分布结构相对的侧上；以及/n电连接件，与所述第一半导体器件分隔开，所述第一半导体器件通过所述再分布结构和所述电连接件电连接至所述天线衬底。/n
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