[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

再分布结构，连接至外部连接件；

第一半导体器件，连接至所述再分布结构；

天线衬底，位于所述第一半导体器件的与所述再分布结构相对的侧上；

电连接件，与所述第一半导体器件分隔开，所述第一半导体器件通过所述再分布结构和所述电连接件电连接至所述天线衬底；以及

天线结构，位于所述再分布结构内并且延伸穿过所述再分布结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括密封所述第一半导体器件的密封剂。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述电连接件内的天线结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述天线结构包括多个天线结构。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括延伸穿过所述天线衬底的热通孔。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电连接件是衬底通孔。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体器件是射频芯片。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在载体晶圆上方形成再分布结构；

在形成所述再分布结构之后，将第一半导体器件附接至所述再分布结构；

将天线衬底电连接至所述再分布结构，其中，所述第一半导体器件位于所述天线衬底和所述再分布结构之间；以及

去除所述载体晶圆。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述再分布结构包括在所述再分布结构内同时形成天线。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一半导体器件是射频芯片。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，电连接所述天线衬底包括将第一天线层和第二天线层电连接至所述再分布结构，其中，所述第一天线层与所述第二天线层成直角取向。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括在将所述天线衬底电连接至所述再分布结构之后密封所述第一半导体器件。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，附接所述天线衬底还包括：

形成与所述第一半导体器件分隔开的电连接件；以及

将所述天线衬底接合至所述电连接件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述电连接件包括与电连接件同时形成天线。

15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在载体晶圆上方的聚合物层上方形成再分布结构；

在所述聚合物层上方形成衬底通孔；

将第一半导体器件附接至所述聚合物层；

用密封剂密封所述衬底通孔和所述第一半导体器件；

平坦化所述密封剂直至所述第一半导体器件、所述密封剂和所述衬底通孔彼此平坦；

在所述密封剂、所述衬底通孔和所述第一半导体器件上方形成再分布结构；

在形成所述再分布结构之后图案化所述聚合物层；以及

通过所述聚合物层将天线衬底接合至所述衬底通孔。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述再分布结构包括与所述再分布结构同时形成天线。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述衬底通孔与所述衬底通孔同时形成天线。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一半导体器件是射频芯片。