[发明专利]半导体工艺用组合物及半导体工艺

摘要

提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由化学式1或化学式2表示的硅化合物的第二成分，还提供一种半导体工艺，包括使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁及/或者除去有机物或无机物的步骤。

主权项

1.一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由以下化学式1表示的化合物或由以下化学式2表示的化合物的第二成分；[化学式1][化学式2]R⁵‑Ge‑R⁶在上述化学式1及上述化学式2中，R¹乃至R⁶各自独立地从氢、取代或未取代的C₁‑C₃₀烷基、取代或未取代的C₁‑C₃₀烷氧基、取代或未取代的C₂‑C₃₀烯基、取代或未取代的C₂‑C₃₀炔基、取代或未取代的C₆‑C₃₀脂肪族环基、取代或未取代的C₄‑C₃₀杂脂肪族环基、取代或未取代的C₆‑C₃₀芳香族环基、取代或未取代的C₄‑C₃₀杂芳香族环基、取代或未取代的胺基、羟基、羰基、羧基、卤素基，氧化(＝O)基及以下化学式3的基中选择，[化学式3]在上述化学式3中，M是硅(Si)或锗(Ge)，A是从单键、取代或未取代的C₁‑C₃₀亚烷基、取代或未取代的C₂‑C₃₀亚烯基、取代或未取代的C₂‑C₃₀亚炔基、取代或未取代的二价的C₆‑C₃₀脂肪族环基、取代或未取代的二价的C₄‑C₃₀杂脂肪族环基、取代或未取代的二价的C₆‑C₃₀芳香族环基、取代或未取代的二价的C₄‑C₃₀杂芳香族环基、取代或未取代的二价的胺基、‑O‑、‑S‑、‑S(＝O)₂‑及‑C(＝O)‑中选择，R⁷乃至R⁹各自独立地从氢、取代或未取代的C₁‑C₃₀烷基、取代或未取代的C₁‑C₃₀烷氧基、取代或未取代的C₂‑C₃₀烯基、取代或未取代的C₂‑C₃₀炔基、取代或未取代的C₆‑C₃₀脂肪族环基、取代或未取代的C₄‑C₃₀杂脂肪族环基、取代或未取代的C₆‑C₃₀芳香族环基、取代或未取代的C₄‑C₃₀杂芳香族环基、取代或未取代的胺基、羟基、羰基、羧基、卤素基，氧化(＝O)基中选择。