[发明专利]半导体工艺用组合物及半导体工艺

权利要求书

1.一种半导体工艺用组合物，其包含：

包含无机酸或有机酸的第一成分；以及

包含由以下化学式1表示的化合物或由以下化学式2表示的化合物的第二成分；

[化学式1]

[化学式2]

在上述化学式1及上述化学式2中，

R¹乃至R⁶各自独立地从氢、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₁-C₃₀烷氧基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₆-C₃₀脂肪族环基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂脂肪族环基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳香族环基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂芳香族环基、取代或未取代的胺基、羟基、羰基、羧基、卤素基，氧化（= O）基及以下化学式3的基中选择，

[化学式3]

在上述化学式3中，

M是硅（Si）或锗（Ge），

A是从单键、取代或未取代的C₁-C₃₀亚烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀亚烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀亚炔基、取代或未取代的二价的C₆-C₃₀脂肪族环基、取代或未取代的二价的C₄-C₃₀杂脂肪族环基、取代或未取代的二价的C₆-C₃₀芳香族环基、取代或未取代的二价的C₄-C₃₀杂芳香族环基、取代或未取代的二价的胺基、-O-、-S-、-S(=O)₂-及-C(=O)-中选择，

R⁷乃至R⁹各自独立地从氢、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₁-C₃₀烷氧基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₆-C₃₀脂肪族环基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂脂肪族环基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳香族环基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂芳香族环基、取代或未取代的胺基、羟基、羰基、羧基、卤素基，氧化（= O）基中选择；

其中，所述组合物还包含溶剂，所述溶剂包含水或极性有机溶剂；并且其中，所述组合物对金属氮化膜与对金属膜的蚀刻选择比为200以上，对金属氮化膜与对金属氧化膜的蚀刻选择比为100以上。

2.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

还包含上述第一成分和上述第二成分的反应产物。

3.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

上述极性有机溶剂包含选自由醇、乙二醇、内酯、内酰胺、亚砜、砜、酰胺（amide）、脲（urea）、咪唑烷酮（imidazolidinone）、腈（nitrile）及吡咯烷酮（pyrrolidone）构成的群的一种以上。

4.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

上述无机酸包含选自由硫酸、硝酸、磷酸、硅酸、硼酸、盐酸、氢氟酸及高氯酸构成的群的一种以上。

5.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

上述有机酸包含选自由乙酸、甲酸、葡萄糖酸、乳酸、草酸和氢碳酸构成的群的一种以上。