[发明专利]半导体存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910160760.1 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110707094B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 藤田昌成 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及一种半导体存储器及其制造方法。半导体存储器包含交替地积层的第1导电体及第1绝缘体、以及存储柱。存储柱贯通第1导电体及第1绝缘体，且包含半导体、隧道绝缘膜、第2绝缘体、及阻挡绝缘膜。第1绝缘体包含有在第1方向相邻的第1、2层。第1、2层间的第1导电体包含第1、2导电部及异质导电部。第1导电部与第1、2层分别相接且沿着与第1方向交叉的第2方向扩展。第2导电部设置在阻挡绝缘膜与第1导电部之间且与阻挡绝缘膜及第1导电部分别相接，由与第1导电部相同的材料形成。异质导电部(51)是以在阻挡绝缘膜与第1导电部之间沿着第1方向隔着第2导电部的方式设置的1对导电部，由与第1、2导电部不同的材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，具备：/n第1导电体及第1绝缘体，沿着第1方向交替地积层；以及/n多个存储柱，分别贯通所述积层的第1导电体及第1绝缘体，分别包含沿着所述第1方向延伸的半导体、包围所述半导体的侧面的隧道绝缘膜、包围所述隧道绝缘膜的侧面的第2绝缘体、及包围所述第2绝缘体的侧面的阻挡绝缘膜；/n所述多个存储柱包含第1存储柱，/n所述积层的第1绝缘体包含有在所述第1方向相邻的第1层及第2层，/n所述第1层与所述第2层之间的第1导电体包含第1导电部、第2导电部、及第1异质导电部，/n所述第1导电部与所述第1层和所述第2层的每一层相接且沿着与所述第1方向交叉的第2方向扩展，/n所述第2导电部设置在所述第1存储柱的阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间，与所述阻挡绝缘膜及所述第1导电部分别相接，由与所述第1导电部相同的材料形成，/n所述第1异质导电部是在所述第1存储柱的所述阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间沿着所述第1方向隔着所述第2导电部的1对导电部，由与所述第1导电部及所述第2导电部不同的材料形成。/n
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