[发明专利]半导体存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器，具备：

第1导电体及第1绝缘体，沿着第1方向交替地积层；以及

多个存储柱，分别贯通所述积层的第1导电体及第1绝缘体，分别包含沿着所述第1方向延伸的半导体、包围所述半导体的侧面的隧道绝缘膜、包围所述隧道绝缘膜的侧面的第2绝缘体、及包围所述第2绝缘体的侧面的阻挡绝缘膜；

所述多个存储柱包含第1存储柱，

所述积层的第1绝缘体包含有在所述第1方向相邻的第1层及第2层，

所述第1层与所述第2层之间的第1导电体包含第1导电部、第2导电部、及第1异质导电部，

所述第1导电部与所述第1层和所述第2层的每一层相接且沿着与所述第1方向交叉的第2方向扩展，

所述第2导电部设置在所述第1存储柱的阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间，与所述阻挡绝缘膜及所述第1导电部分别相接，由与所述第1导电部相同的材料形成，

所述第1异质导电部是在所述第1存储柱的所述阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间沿着所述第1方向隔着所述第2导电部的1对导电部，由与所述第1导电部及所述第2导电部不同的材料形成。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述多个存储柱还包含与所述第1存储柱相邻的第2存储柱，

在与衬底的表面平行且包含所述第1异质导电部的截面中，所述第1存储柱的中心与在所述第1异质导电部最远离所述第1存储柱的部分之间的第1间隔比所述第1存储柱的所述中心与所述第2存储柱的中心之间的第2间隔的一半短。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述多个存储柱还包含与所述第1存储柱相邻的第2存储柱，

所述第1层与所述第2层之间的所述第1导电体还包含第3导电部及第2异质导电部，

所述第3导电部设置于所述第2存储柱的阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间，且与所述第2存储柱的所述阻挡绝缘膜和所述第1导电部分别相接，由与所述第1导电部相同的材料形成，

所述第2异质导电部是在所述第2存储柱的所述阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间沿着所述第1方向隔着所述第3导电部的1对导电部，由与所述第1导电部、所述第2导电部及所述第3导电部不同的材料形成，

所述第1导电部包含有在所述第1存储柱与所述第2存储柱之间沿着所述第1方向延伸的缝隙。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器，还具备绝缘部，该绝缘部设置在沿着与所述第1方向交叉的第3方向延伸且将所述积层的第1导电体及第1绝缘体分断的狭缝内，与所述第1导电部相接，

在所述第1存储柱与所述绝缘部之间不具有存储柱，

在所述第1存储柱与所述绝缘部之间的所述第1导电部不具有缝隙。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中在所述第1导电部与所述第2导电部之间形成交界。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第1存储柱的所述阻挡绝缘膜包含夹在所述第1层与所述第2层之间的部分。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述阻挡绝缘膜包含沿着所述第1方向延伸的圆筒状的第1氧化物、及沿着所述第1方向延伸的与所述第1氧化物不同的第2氧化物，

所述第2氧化物包围所述第1氧化物的侧面。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第1异质导电部中的所述1对导电部与所述第2导电部分别设置为单环状。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第1导电部与所述第2导电部分别包含钨。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第1异质导电部包含氮化钛。