[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统在审
| 申请号: | 201910160364.9 | 申请日: | 2019-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN111653646A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
| 发明(设计)人: | 陈涛;李新连;刘德臣;赵树利 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0463;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 喻嵘;佛新瑜 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统,该方法包括:在完成所述第二刻划工序后还包括:获取第二刻划线的检测信息,所述第二刻划线的检测信息包括漏刻的第二刻划线的位置信息;在所述第三刻划工序中,在所述漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。本发明能够起到对第二刻划工序出现漏刻的薄膜太阳能电池进行检测和修复,过程中无需进行人工操作,无需调整生产线,也无需对薄膜太阳能电池进行重新定位,操作简单,良品率较高。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制备 方法 刻划 装置 控制系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





