[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统

说明书

本发明公开了一种薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统，该方法包括：在完成所述第二刻划工序后还包括：获取第二刻划线的检测信息，所述第二刻划线的检测信息包括漏刻的第二刻划线的位置信息；在所述第三刻划工序中，在所述漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。本发明能够起到对第二刻划工序出现漏刻的薄膜太阳能电池进行检测和修复，过程中无需进行人工操作，无需调整生产线，也无需对薄膜太阳能电池进行重新定位，操作简单，良品率较高。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统。

背景技术

薄膜太阳能电池主要包括：非晶硅电池、微晶硅电池、铜铟镓硒太阳能电池(CIGS)、碲化镉太阳能电池(CdTe)、砷化镓太阳能电池(GaAs)等薄膜电池，主要是在刚性衬底或柔性衬底上进行多层镀膜，并且镀膜过程中，通过例如激光刻划或机械刻划等刻划工艺对薄膜太阳能电池的电极层和发电层进行刻划，将薄膜太阳能电池分割成若干子电池，并使子电池之间形成串联电路。

图案化处理工序通常包括P1、P2及P3等刻划工序。一般而言，P1、P2及P3刻划工序各自实现功能如下：

P1：待背电极层形成后，进行P1刻划工序，将背电极层分割成众多子电池的背电极；

P2：待发电层形成后，进行P2刻划工序，将发电层分割成众多子电池的发电层单元，并形成沟槽，所述沟槽用于前电极材料的填充，这样可以将多个子电池串联；

P3：待前电极层形成后，进行P3刻划工序，将前电极和发电层进行分割从而形成多个相互独立的太阳能电池；

现有技术中P1工序通常采用激光刻划工艺，P2工序和P3工序可采用激光刻划或机械刻划。但无论是激光刻划还是机械刻划均会产生漏刻现象。对于不同刻划工序出现漏刻现象所产生的失效模式是不同的，一种失效模式如下：如果P1工序出现漏刻，则子电池的正极或负极出现短路，损失一个或多个子电池；如果P2工序出现漏刻，则子电池之间无法形成串联结构，会导致整个电池基板失效；如果P3工序出现漏刻，则子电池的正极或负极出现短路，损失一个或多个子电池。由此可知，如果P2工序出现漏刻，会导致整块薄膜太阳能电池失效，造成的后果较为严重，会直接导致产线良品率降低，给生产企业带来较大的经济损失。

现有技术中针对因P2工序出现漏刻而失效的薄膜太阳能电池，通常采取再次放到P2工序的刻划设备上进行重新刻划，但重新刻划需要对薄膜太阳能电池板进行重新定位，需要P2工序刻划设备及制造企业生产过程的执行系统(MES系统)等设备的协调配合，操作过程复杂，且占用设备资源较多。另外，由于重复定位精度较低，容易造成薄膜太阳能电池死区面积增大的问题，良品率较低。

发明内容

有鉴于现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统，使其能够对第二刻划工序出现漏刻的薄膜太阳能电池进行检测和修复，且操作简单，良品率较高。

为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜太阳能电池的制备方法，其包括：

第一刻划工序：形成多条第一刻划线，以将背电极层分割成多个背电极；

第二刻划工序：形成多条第二刻划线，以将发电层分割成多个发电层单元，并形成用于实现相邻太阳能电池单元互联的通道；

第三刻划工序：形成多条第三刻划线，以将前电极层和发电层进行分割从而形成多个太阳能电池单元；在完成所述第二刻划工序后，还包括：

获取所述多条第二刻划线的检测信息，所述检测信息包括漏刻的第二刻划线的位置信息；

在所述第三刻划工序中，在所述漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。