[发明专利]被加工物的磨削方法在审
申请号: | 201910150730.2 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN110233100A | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 广泽俊一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供被加工物的磨削方法,在对被加工物进行磨削的情况下,即使不去除被加工物的外周部也能够抑制边缘崩边及晶片裂痕的产生。该磨削方法包含:利用保护部件(T)覆盖被加工物(W)的正面(Wa)的工序;从被加工物的背面(Wb)侧在比外周缘(Wd)靠内侧规定的距离的位置沿着外周缘呈圆形照射对于被加工物具有透过性的激光而形成变质层(M)的工序;利用工作台(70)来保持形成有变质层的被加工物的保护部件的工序;磨削被加工物的背面而使被加工物形为完工厚度,并且在被加工物的厚度到达变质层的时刻以沿着外周缘形成的变质层为起点将被加工物分割成内周部(W1)和外周部(W2)的工序,通过在背面磨削中途将被加工物分割成内周部和外周部,防止崩边和裂痕传播到内周部的器件区域(Wa1)。 | ||
搜索关键词: | 被加工物 磨削 变质层 内周部 外周部 外周缘 保护部件 崩边 背面 背面磨削 裂痕传播 器件区域 透过性 分割 工作台 晶片 裂痕 去除 激光 照射 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种被加工物的磨削方法,利用磨削磨具对被加工物的背面进行磨削,该被加工物具有在被形成为格子状的多条分割预定线划分的区域中形成有器件的正面,其特征在于,该被加工物的磨削方法包含如下的工序:正面保护工序,利用正面保护部件覆盖该被加工物的正面;变质层形成工序,从该被加工物的背面侧在比外周缘靠内侧规定的距离的位置沿着外周缘呈圆形照射对于被加工物具有透过性的激光光线而形成变质层;保持工序,利用卡盘工作台对形成有该变质层的该被加工物的正面保护部件进行保持,该卡盘工作台利用铅垂方向的旋转轴来进行旋转;以及磨削工序,对实施了该保持工序之后的该被加工物的背面进行磨削,使该被加工物形成为芯片的完工厚度,并且在该被加工物的厚度到达该变质层的时刻,以沿着外周缘呈圆形形成的该变质层为起点,将该被加工物分割成内周部和围绕内周部的外周部,通过在背面磨削中途将该被加工物分割成该内周部和该外周部,防止由被加工物的边缘引起的崩边以及裂痕传播至该内周部的器件区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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