[发明专利]被加工物的磨削方法

说明书

提供被加工物的磨削方法，在对被加工物进行磨削的情况下，即使不去除被加工物的外周部也能够抑制边缘崩边及晶片裂痕的产生。该磨削方法包含：利用保护部件(T)覆盖被加工物(W)的正面(Wa)的工序；从被加工物的背面(Wb)侧在比外周缘(Wd)靠内侧规定的距离的位置沿着外周缘呈圆形照射对于被加工物具有透过性的激光而形成变质层(M)的工序；利用工作台(70)来保持形成有变质层的被加工物的保护部件的工序；磨削被加工物的背面而使被加工物形为完工厚度，并且在被加工物的厚度到达变质层的时刻以沿着外周缘形成的变质层为起点将被加工物分割成内周部(W1)和外周部(W2)的工序，通过在背面磨削中途将被加工物分割成内周部和外周部，防止崩边和裂痕传播到内周部的器件区域(Wa1)。

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等被加工物进行磨削的方法。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在圆板形状的被加工物的正面上利用呈格子状形成的被称为间隔道的分割预定线划分出多个矩形区域，在该矩形区域分别形成器件电路。通过沿着分割预定线对以这种方式形成有多个器件的被加工物进行分割，形成各个半导体芯片。并且，为了实现半导体芯片的小型化及轻量化，通常在沿着分割预定线切断被加工物而使各个矩形区域分离之前，对被加工物的背面进行磨削而薄化为规定的厚度。

在被加工物的正面的外周部的边缘存在阶梯差的情况或被加工物的该边缘形状为特殊形状(例如剖面为尖形状)的情况下，有时在被加工物的背面磨削中，被加工物的外周部的边缘产生崩边或来自边缘的裂纹朝向内周部伸长而产生晶片裂痕。

作为其对策，已知有如下的磨削方法：在比被加工物的外周缘靠内侧规定的距离的位置沿着外周缘呈圆形照射对于被加工物具有透过性的波长的激光光线，将被加工物分割成内周部和围绕内周部的外周部并将外周部从被加工物去除。然后，进行背面磨削而使被加工物(内周部)形成为预定的完工厚度(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2006-108532号公报

但是，在上述专利文献1所记载的磨削方法中，由于增加了去除被加工物的外周部的工序，所以会花费时间。另外，由于去除外周部会使被加工物的外径变小，需要按照与被加工物的外径一致的大小重新制作在背面磨削工序中保持被加工物的保持部件、将被加工物搬送至保持部件的搬送部件。

发明内容

因此，本发明存在如下的课题：在对被加工物进行磨削的情况下，即使不去除被加工物的外周部，也能够抑制被加工物的边缘崩边及晶片裂痕的产生。

用于解决上述课题的本发明是被加工物的磨削方法，利用磨削磨具对被加工物的背面进行磨削，该被加工物具有在被形成为格子状的多条分割预定线划分的区域形成有器件的正面，其中，该被加工物的磨削方法包含如下的工序：正面保护工序，利用正面保护部件覆盖该被加工物的正面；变质层形成工序，从该被加工物的背面侧在比外周缘靠内侧规定的距离的位置沿着外周缘呈圆形照射对于被加工物具有透过性的激光光线而形成变质层；保持工序，利用卡盘工作台对形成有该变质层的该被加工物的正面保护部件进行保持，该卡盘工作台利用铅垂方向的旋转轴来进行旋转；以及磨削工序，对实施了该保持工序之后的该被加工物的背面进行磨削，使该被加工物形成为芯片的完工厚度，并且在该被加工物的厚度到达该变质层的时刻，以沿着外周缘呈圆形形成的该变质层为起点，将该被加工物分割成内周部和围绕内周部的外周部，通过在背面磨削中途将该被加工物分割成该内周部和该外周部，防止由被加工物的边缘引起的崩边以及裂痕传播至该内周部的器件区域。

优选上述正面保护部件为粘接带。