[发明专利]氮化镓高电子移动率晶体管及其栅极结构有效
| 申请号： | 201910141573.9 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370471B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 刘莒光;杨弘堃 | 申请（专利权）人： | 杰力科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 李小波;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，包括一异质结构、一掺杂氮化镓层、一绝缘层、一未掺杂氮化镓层以及一栅极金属层。异质结构包括一信道层与位于所述信道层上的一阻障层。掺杂氮化镓层位于所述阻障层上，绝缘层则位于掺杂氮化镓层的顶部的两侧边，且未掺杂氮化镓层是位于掺杂氮化镓层与绝缘层之间。栅极金属层则位于掺杂氮化镓层上，并覆盖绝缘层与未掺杂氮化镓层。所述未掺杂氮化镓层能保护其下的掺杂氮化镓层，而绝缘层则具有防止栅极漏电的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 移动 晶体管 及其 栅极 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰力科技股份有限公司，未经杰力科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910141573.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：违规提醒方法及系统
- 下一篇：自然语言处理方法及其设备和存储介质
- 同类专利
- 专利分类
