[发明专利]氮化镓高电子移动率晶体管及其栅极结构

权利要求书

1.一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，其特征在于，包括：

异质结构，包括信道层与位于所述信道层上的阻障层；

掺杂氮化镓层，位于所述阻障层上；

绝缘层，位于所述掺杂氮化镓层的顶部的两侧边；

未掺杂氮化镓层，位于所述掺杂氮化镓层与所述绝缘层之间；以及

栅极金属层，位于所述掺杂氮化镓层上，并覆盖所述绝缘层与所述未掺杂氮化镓层，

其中所述未掺杂氮化镓层覆盖部分所述掺杂氮化镓层，而使所述栅极金属层直接接触所述掺杂氮化镓层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，其中所述掺杂氮化镓层为p型氮化镓层或n型氮化镓层。

3.根据权利要求1所述的氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，其中所述绝缘层的材料包括氮化硅、氧化铝、氧化硅、氮化硼或氮化铝。

4.根据权利要求1所述的氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，其中所述绝缘层的面积占所述掺杂氮化镓层的所述顶部的面积比例在50％以下。

5.根据权利要求1所述的氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，其中所述掺杂氮化镓层的底部的面积大于或等于所述顶部的面积。

6.根据权利要求1所述的氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，其中所述未掺杂氮化镓层的厚度小于200埃。

7.根据权利要求1所述的氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，其中所述栅极金属层的侧面与所述绝缘层的侧面对齐。

8.根据权利要求1所述的氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，其中所述信道层的材料包括氮化镓以及所述阻障层的材料包括氮化铝镓。

9.一种氮化镓高电子移动率晶体管，其特征在于，包括根据权利要求1～8中任一项所述的栅极结构。