[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201910129594.9 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110299283B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 塙洋祐;佐佐木悠太 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金辉;崔炳哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，所述基板处理方法能够一边防止形成于基板的主面的图案的倒塌，一边去除附着于基板的主面的液体。本发明的基板处理方法的特征在于，包括：供给工序S13，向基板W的图案形成面供给含有熔融状态的干燥辅助物质的处理液；凝固工序S15，使处理液在图案形成面上凝固而形成凝固体；去除工序S16，将凝固体从图案形成面去除，作为干燥辅助物质，使用满足大气压下的熔点下的熔化熵为1mJ/cm |
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| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：供给工序，向基板的图案形成面供给含有熔融状态的干燥辅助物质的处理液；凝固工序，使所述处理液在所述图案形成面上凝固而形成凝固体；去除工序，将所述凝固体从所述图案形成面去除，作为所述干燥辅助物质，使用满足大气压下的熔点下的熔化熵为1mJ/cm3·K以上且500mJ/cm3·K以下、以及大气压下的0℃下的升华熵为1mJ/cm3·K以上且2000mJ/cm3·K以下中的至少一者的物质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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