[发明专利]一种通孔的激光加工方法有效
| 申请号： | 201910127720.7 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109904114B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈洁 | 申请（专利权）人： | 深圳市星汉激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 东营双桥专利代理有限责任公司 37107 | 代理人： | 侯玉山 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区福海*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种通孔的激光加工方法，其激光活化的铜层可以防止二次钻蚀时使得上部通孔孔径差距较大，克服了现有技术中一步直接钻孔导致的通孔上部的孔径过宽，不能满足较大的高宽比的需要；且活化的铜层可以作为后续的电镀的种子层，且通过激光活化的铜层，其表面粗糙度较大，具有很好的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通孔的激光加工方法，包括如下步骤：（1）提供一待钻孔的半导体衬底，具有相对的正面和背面；（2）在所述衬底上利用激光钻蚀出盲孔，所述盲孔未贯穿所述衬底且具有第一孔径D；（3）在所述盲孔中填充可活化铜有机物；（4）利用上述激光照射所述盲孔，使得所述可活化铜有机物中的有机物挥发，并在所述盲孔的侧壁留下活化的铜层；（5）利用上述激光继续进行钻蚀所述盲孔底部直至贯穿所述衬底，形成贯通孔，所述贯通孔具有第二孔径r；（6）在所述贯通孔中填充导电物质形成最终的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
