[发明专利]一种通孔的激光加工方法有效
| 申请号： | 201910127720.7 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109904114B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈洁 | 申请（专利权）人： | 深圳市星汉激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 东营双桥专利代理有限责任公司 37107 | 代理人： | 侯玉山 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区福海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 加工 方法 | ||
1.一种通孔的激光加工方法，包括如下步骤：
（1）提供一待钻孔的半导体衬底，具有相对的正面和背面；
（2）在所述衬底上利用激光钻蚀出盲孔，所述盲孔未贯穿所述衬底且具有第一孔径D；
（3）在所述盲孔中填充可活化铜有机物；
（4）利用上述激光照射所述盲孔，使得所述可活化铜有机物中的有机物挥发，并在所述盲孔的侧壁留下活化的铜层；
（5）利用上述激光继续进行钻蚀所述盲孔底部直至贯穿所述衬底，形成贯通孔，所述贯通孔的下半部分具有第二孔径r；
（6）在所述贯通孔中填充导电物质形成最终的通孔。
2.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：所述步骤（4）中的激光的能量小于所述步骤（5）中的激光能量。
3.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：其中，第一孔径D第二孔径r。
4.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：其中，10μm≤D≤25μm，5μm≤r≤15μm。
5.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：所述活化的铜层的厚度小于或等于2μm。
6.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：在所述步骤（6）中填充导电物质包括电镀铜、电镀镍。
7.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：所述活化的铜层的粗糙度大于0.05μm。
8.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：所述步骤（5）中形成贯通孔的具体方法包括：加大激光的能量，使得激光束对准所述盲孔的底部，所述活化的铜层作为保护层，防止激光对盲孔侧壁的进一步烧蚀，直至完全钻蚀贯穿所述衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
