[发明专利]三维存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201910121833.6 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN109817636B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 胡斌;肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成三维存储器的方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、形成于衬底上的堆叠结构以及形成于所述衬底中的第一源极线；形成穿过所述堆叠结构的第一沟道孔和第二沟道孔，所述第一沟道孔与所述第二沟道孔交替排列；封闭所述第二沟道孔的开口，填充所述第一沟道孔形成第一垂直沟道结构；打开所述第二沟道孔的开口，填充所述第二沟道孔形成第二垂直沟道结构，并在所述堆叠结构远离所述衬底的顶端形成第二源极线；形成穿过所述第二源极线的第一插塞和第一隔离层，以及形成穿过所述第一源极线的第二插塞和第二隔离层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成三维存储器的方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、形成于衬底上的堆叠结构以及形成于所述衬底中的第一源极线；形成穿过所述堆叠结构的第一沟道孔和第二沟道孔，所述第一沟道孔与所述第二沟道孔交替排列；封闭所述第二沟道孔的开口，填充所述第一沟道孔形成第一垂直沟道结构；打开所述第二沟道孔的开口，填充所述第二沟道孔形成第二垂直沟道结构，并在所述堆叠结构远离所述衬底的顶端形成第二源极线；形成穿过所述第二源极线的第一插塞和第一隔离层，所述第一插塞电连接至所述第一垂直沟道结构，所述第一隔离层将所述第一插塞与所述第二源极线绝缘；形成穿过所述第一源极线的第二插塞和第二隔离层，所述第二插塞电连接至所述第二垂直沟道结构，所述第二隔离层将所述第二插塞与所述第一源极线绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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