[发明专利]三维存储器的形成方法

权利要求书

1.一种形成三维存储器的方法，所述方法包括：

提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、形成于衬底上的堆叠结构以及形成于所述衬底中的第一源极线；

形成穿过所述堆叠结构的第一沟道孔和第二沟道孔，所述第一沟道孔与所述第二沟道孔交替排列；

封闭所述第二沟道孔的开口，填充所述第一沟道孔形成第一垂直沟道结构；

打开所述第二沟道孔的开口，填充所述第二沟道孔形成第二垂直沟道结构，并在所述堆叠结构远离所述衬底的顶端形成第二源极线；

形成穿过所述第二源极线的第一插塞和第一隔离层，所述第一插塞电连接至所述第一垂直沟道结构，所述第一隔离层将所述第一插塞与所述第二源极线绝缘；

形成穿过所述第一源极线的第二插塞和第二隔离层，所述第二插塞电连接至所述第二垂直沟道结构，所述第二隔离层将所述第二插塞与所述第一源极线绝缘，与所述第一插塞连接的位线和与所述第二插塞连接的位线分别位于所述衬底的两侧。

2.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述第一沟道孔与所述第二沟道孔间隔一行或多行交替排列。

3.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，在所述第一源极线中形成第二插塞和第二隔离层的步骤之后还包括：

将所述第一插塞电连接至第一外围电路；以及

将所述第二插塞电连接至第二外围电路。

4.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，在所述第一源极线中形成第二插塞和第二隔离层的步骤之后还包括：

将所述第一插塞电连接至一外围电路；以及

将所述第二插塞通过贯穿阵列孔电连接至所述外围电路。

5.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，封闭所述第二沟道孔的开口的步骤包括：

用牺牲层覆盖所述堆叠结构、所述第一沟道孔和第二沟道孔；

在所述牺牲层上覆盖刻蚀阻挡层；

去除所述第一沟道孔中及其上方的牺牲层，从而封闭所述第二沟道孔的开口。

6.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，填充所述第一沟道孔形成第一垂直沟道结构的步骤包括：在所述第一沟道孔的底部沉积硅外延层，以及向所述第一沟道孔依次沉积阻挡层、电荷捕获层、隧穿层和沟道层。

7.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，填充所述第二沟道孔形成第二垂直沟道结构的步骤包括：向所述第二沟道孔依次沉积阻挡层、电荷捕获层、隧穿层和沟道层，所述阻挡层、电荷捕获层、隧穿层和沟道层接触所述第二源极线。

8.根据权利要求6或7所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，采用原子层沉积法向所述第一沟道孔或所述第二沟道孔依次沉积阻挡层、电荷捕获层、隧穿层和沟道层。

9.根据权利要求6或7所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，还在所述第一沟道孔或所述第二沟道孔的侧壁与所述阻挡层之间沉积高k介电常数材料。

10.根据权利要求9所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述高k介电常数材料为氮化硅、氮氧化硅、氧化钛或氮化钛。