[发明专利]多晶硅电阻结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910119045.3 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111584462B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 汪广羊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/60 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅电阻结构及其制备方法，该多晶硅电阻结构包括：P型半导体基底；N型阱区，形成于P型半导体基底上；隔离层，形成于N型阱区上；多晶硅层，形成于隔离层上；金属互连结构，分别与多晶硅层和N型阱区连接以使多晶硅层和N型阱区连接。通过在P型半导体基底上形成N型阱区，P型半导体基底和N型阱区形成二极管结构，通过金属互连结构将多晶硅层与N型阱区连接，对多晶硅层进行保护，且由于二极管结构形成于多晶硅层的正下方，在增加静电保护结构的同时，不会增加多晶硅电阻结构所占面积。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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