[发明专利]多晶硅电阻结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅电阻结构，其特征在于，包括：

P型半导体基底；

N型阱区，形成于所述P型半导体基底上，所述P型半导体基底与所述N型阱区形成二极管结构；

隔离层，形成于所述N型阱区上；

多晶硅层，形成于所述隔离层上；

金属互连结构，分别与所述多晶硅层和所述N型阱区连接以使所述多晶硅层和所述N型阱区连接，所述金属互连结构与所述多晶硅层的一个端部连接；

所述多晶硅电阻结构包括输入端和输出端，所述输入端与所述金属互连结构连接，所述输出端与所述多晶硅层连接。

2.如权利要求1所述的多晶硅电阻结构，其特征在于，所述P型半导体基底包括硅材料，所述隔离层为氧化硅层。

3.如权利要求1所述的多晶硅电阻结构，其特征在于，所述多晶硅层呈蛇形分布。

4.如权利要求1所述的多晶硅电阻结构，其特征在于，所述N型阱区内形成有N型体区，所述N型体区的掺杂浓度大于所述N型阱区的掺杂浓度，所述金属互连结构与所述N型体区连接。

5.如权利要求4所述的多晶硅电阻结构，其特征在于，所述多晶硅层和所述N型体区上形成有介质层，所述金属互连结构包括导电接触孔和金属层，所述金属层形成于所述介质层上，所述导电接触孔贯穿所述介质层，所述导电接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔位于所述N型体区上方并与所述N型体区连接，所述第二接触孔位于所述多晶硅层上方并与所述多晶硅层连接，且所述第一接触孔和所述第二接触孔均与所述金属层连接。

6.如权利要求5所述的多晶硅电阻结构，其特征在于，所述导电接触孔包括多个所述第一接触孔，各所述第一接触孔的一端与所述N型体区连接，另一端与所述金属层连接。

7.一种多晶硅电阻结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供P型半导体基底，在所述P型半导体基底上形成N型阱区，所述P型半导体基底与所述N型阱区形成二极管结构；

在所述N型阱区上形成隔离层并在所述隔离层上形成多晶硅层；

形成分别与所述N型阱区和所述多晶硅层连接的金属互连结构，所述多晶硅层和所述N型阱区通过所述金属互连结构连接，所述金属互连结构与所述多晶硅层的一个端部连接；

其中，所述多晶硅电阻结构包括输入端和输出端，所述制备方法还包括使所述输入端与所述金属互连结构连接，使所述输出端与所述多晶硅层连接。

8.如权利要求7所述的多晶硅电阻结构的制备方法，其特征在于，还包括在所述N型阱区内形成N型体区，所述N型体区的掺杂浓度大于所述N型阱区的掺杂浓度，所述金属互连结构与所述N型体区连接。

9.如权利要求8所述的多晶硅电阻结构的制备方法，其特征在于，所述形成分别与所述N型阱区和所述多晶硅层连接的金属互连结构的步骤具体包括：

在所述多晶硅层和所述N型体区上形成介质层，在所述介质层内形成贯穿所述介质层的导电接触孔，所述导电接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔形成于所述N型体区上方并与所述N型体区连接，所述第二接触孔形成于所述多晶硅层上方并与所述多晶硅层连接；

在所述介质层上形成金属层，所述第一接触孔和所述第二接触孔均与所述金属层连接。