[发明专利]显示设备在审
| 申请号： | 201910112345.9 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110148610A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 姜哲圭;金起旭;朴晋佑;李东鲜;崔相武 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李强;李静波 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种显示设备，所述显示设备可包括：第一晶体管、第二晶体管和电容器。所述第一晶体管包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极。所述第一半导体层包括第一硅半导体。所述第二晶体管包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极。所述第二半导体层包括第一氧化物半导体。所述电容器包括第一电极和第二电极。所述第二电极与所述第一电极重叠并且所述第二电极从所述第二半导体层延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 晶体管 第二电极 显示设备 电容器 第一电极 栅电极 绝缘 氧化物半导体 硅半导体 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极，所述第一半导体层包括第一硅半导体；第二晶体管，所述第二晶体管包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极，所述第二半导体层包括第一氧化物半导体；以及电容器，所述电容器包括第一电极和第二电极，所述第二电极与所述第一电极重叠并且所述第二电极从所述第二半导体层延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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