[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201910112345.9 | 申请日: | 2019-02-13 |
公开(公告)号: | CN110148610A | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 姜哲圭;金起旭;朴晋佑;李东鲜;崔相武 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李强;李静波 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体层 晶体管 第二电极 显示设备 电容器 第一电极 栅电极 绝缘 氧化物半导体 硅半导体 延伸 | ||
本公开涉及一种显示设备,所述显示设备可包括:第一晶体管、第二晶体管和电容器。所述第一晶体管包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极。所述第一半导体层包括第一硅半导体。所述第二晶体管包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极。所述第二半导体层包括第一氧化物半导体。所述电容器包括第一电极和第二电极。所述第二电极与所述第一电极重叠并且所述第二电极从所述第二半导体层延伸。
本申请要求于2018年2月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0018063号韩国专利申请的优先权和权益;该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
技术领域涉及显示设备。
背景技术
显示设备通常包括显示装置和用于控制施加到显示装置的电信号的驱动电路。驱动电路可包括薄膜晶体管(TFT)和布线。
在驱动电路中,为了精确地控制显示装置的发光,可能需要大量的TFT。所述TFT可能引起显著的集成问题和功耗。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示设备,所述显示设备的功耗可被最小化并且所述显示设备可被高度集成。
一个或多个示例实施例可涉及显示设备,所述显示设备包括包含硅半导体的薄膜晶体管(TFT)和包含氧化物半导体的TFT,且/或所述显示设备由包含硅半导体的薄膜晶体管(TFT)和包含氧化物半导体的TFT来驱动。有利地,所述显示设备的功耗可被最小化,并且所述显示设备可被高度集成。
根据一个或多个示例实施例,显示设备包括以下元件:第一薄膜晶体管(TFT),所述第一薄膜晶体管(TFT)包括包含硅半导体的第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极;第四TFT,所述第四TFT包括包含氧化物半导体的第四半导体层和与所述第四半导体层绝缘的第四栅电极;以及电容器,所述电容器包括下电极和从所述第四半导体层延伸的上电极。
所述电容器的所述下电极可与所述第一栅电极布置在相同层上,并且所述电容器的所述上电极可连接到所述第一栅电极。
所述显示设备还可包括:连接电极,所述连接电极被配置为接触所述第一栅电极的上表面和所述电容器的所述上电极的上表面。
所述显示设备还可包括:第二TFT,所述第二TFT包括包含硅半导体的第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极,并且所述第二TFT被配置为将数据信号传输到所述第一TFT;和第一信号线,所述第一信号线连接到所述第二栅电极。
所述电容器的所述下电极可连接到所述第一信号线。
所述电容器的所述下电极可包括从所述第一信号线的一部分突出的区域。
所述显示设备还可包括:第三TFT,所述第三TFT包括包含氧化物半导体的第三半导体层和与所述第三半导体层绝缘的第三栅电极,并且所述第三TFT连接到所述第一栅电极和所述第一半导体层;和第二信号线,所述第二信号线连接到所述第三栅电极。
所述第一信号线和所述第二信号线可在第一方向上彼此分离,并且所述第一TFT在平面图中可以在所述第一信号线和所述第二信号线之间。
所述第一信号线和所述第二信号线可布置在不同的层中。
所述第三半导体层的连接到所述第一栅电极的一端可电连接到所述电容器的所述上电极。
所述显示设备还可包括:第七TFT,所述第七TFT包括包含硅半导体的第七半导体层和与所述第七半导体层绝缘的第七栅电极,其中,所述第七栅电极连接到所述第一信号线。
所述第四TFT可将外部电压施加到所述第一栅电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的