[发明专利]一种三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910105609.8 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109887926B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器的制备方法，所述三维存储器包括选择管栅极，所述方法包括以下步骤：提供基底结构；形成垂直穿过所述基底结构的沟道结构，所述沟道结构包括存储叠层以及沟道层；去除所述基底结构中所述选择管栅极的预设形成位置处的第一牺牲层；去除与所述选择管栅极的预设形成位置水平对应的所述存储叠层，在去除的所述存储叠层的位置处形成栅介质层；在所述选择管栅极的预设形成位置填充栅极金属，形成所述选择管栅极；基于所述选择管栅极、所述栅介质层以及所述沟道层形成所述三维存储器的选择管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的制备方法，所述三维存储器包括选择管栅极，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供基底结构；形成垂直穿过所述基底结构的沟道结构，所述沟道结构包括存储叠层以及沟道层；去除所述基底结构中所述选择管栅极的预设形成位置处的第一牺牲层；去除与所述选择管栅极的预设形成位置水平对应的所述存储叠层，在去除的所述存储叠层的位置处形成栅介质层；在所述选择管栅极的预设形成位置填充栅极金属，形成所述选择管栅极；基于所述选择管栅极、所述栅介质层以及所述沟道层形成所述三维存储器的选择管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910105609.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D NAND存储器的形成方法
- 下一篇：三维存储器及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
