[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，所述三维存储器包括选择管栅极，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供基底结构；

形成垂直穿过所述基底结构的沟道结构，所述沟道结构包括存储叠层以及沟道层；

去除所述基底结构中所述选择管栅极的预设形成位置处的第一牺牲层；

去除与所述选择管栅极的预设形成位置水平对应的所述存储叠层，在去除的所述存储叠层的位置处形成栅介质层；

在所述选择管栅极的预设形成位置填充栅极金属，形成所述选择管栅极；基于所述选择管栅极、所述栅介质层以及所述沟道层形成所述三维存储器的选择管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底结构还包括位于所述选择管栅极以下的其他栅极的预设形成位置处的第二牺牲层，所述第二牺牲层选自与所述第一牺牲层在相同的刻蚀条件下具有不同的刻蚀速率的材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料包括氮氧化硅或者多晶硅。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述沟道结构后，去除所述第一牺牲层前，所述方法还包括：

基于所述第二牺牲层与所述第一牺牲层之间的不同的刻蚀速率，去除所述第二牺牲层；

在去除后空余的所述其他栅极的预设形成位置处填充栅极金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储叠层包括沿远离所述沟道层方向依次排列的隧穿层、存储层以及阻挡层；所述去除与所述选择管栅极的预设形成位置水平对应的所述存储叠层，在去除的所述存储叠层的位置处形成栅介质层，包括：

去除与所述选择管栅极的预设形成位置水平对应的所述阻挡层以及部分所述存储层；

氧化剩余的部分所述存储层，形成第一氧化物层，所述第一氧化物层与所述隧穿层共同构成所述栅介质层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一氧化物层以及所述隧穿层均为氧化硅层。

7.一种三维存储器，所述三维存储器包括选择管栅极，其特征在于，所述三维存储器还包括：

沟道层；

所述选择管栅极与所述沟道层之间包括且仅包括栅介质层；所述选择管栅极、所述栅介质层以及所述沟道层共同组成所述三维存储器的选择管。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述栅介质层的材料包括氧化硅。

9.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

位于所述选择管栅极以下的其他栅极，所述选择管栅极与所述沟道层之间的距离不同于所述其他栅极与所述沟道层之间的距离。

10.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

位于所述沟道层外周的存储叠层，所述存储叠层在与所述选择管栅极水平对应的位置处断连，所述选择管栅极至少部分形成于所述断连的位置处。