[发明专利]一种测量硅片体金属的测试方法在审
| 申请号： | 201910104745.5 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109904089A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘九江;刘顺玲;李诺;谭咏麟 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 王耀云 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种测量硅片体金属的测试方法，属于半导体制造领域，包括第一步：取直径4～10inch且电阻率无限制的硅片1片；第二步：将硅片上载至红外加热炉升温至200～300度，恒温烘烤1.5～2.5小时；第三步：将硅片上载至全自动表面金属收集系统；第四步：全自动表面金属收集系统在制样过程中向硅片表面吹氢氟酸蒸汽4～6分钟；第五步：全自动表面金属收集系统的喷嘴吸取提取液，在硅片表面回收金属离子；第六步：采用电感耦合等离子质谱仪测试扫描液金属含量，测试出的表面金属含量即经过红外加热炉烘烤的金属离子溢出量。本发明对测试的硅片直径和电阻率没有限制，测试范围更广，精度更高，成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 表面金属 测试 硅片 收集系统 红外加热炉 测量硅片 硅片表面 电阻率 金属 电感耦合等离子质谱仪 半导体制造领域 回收金属离子 氢氟酸蒸汽 恒温烘烤 金属离子 喷嘴 提取液 烘烤 制样 溢出 扫描 | ||
【主权项】：
1.一种测量硅片体金属的测试方法，其特征在于：包括以下步骤，第一步：取直径4～10inch且电阻率无限制的硅片1片；第二步：将第一步中所述的硅片上载至红外加热炉升温至200～300度，恒温烘烤1.5～2.5小时；第三步：在第二步完成的基础上，将所述硅片上载至全自动表面金属收集系统；第四步：所述全自动表面金属收集系统在制样过程中向硅片表面吹氢氟酸蒸汽4～6分钟；第五步：所述全自动表面金属收集系统的喷嘴吸取提取液，在硅片表面回收金属离子；第六步：采用电感耦合等离子质谱仪测试扫描液金属含量，测试出的表面金属含量即经过红外加热炉烘烤的金属离子溢出量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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