[发明专利]一种测量硅片体金属的测试方法

权利要求书

1.一种测量硅片体金属的测试方法，其特征在于：包括以下步骤，

第一步：取直径4～10inch且电阻率无限制的硅片1片；

第二步：将第一步中所述的硅片上载至红外加热炉升温至200～300度，恒温烘烤1.5～2.5小时；

第三步：在第二步完成的基础上，将所述硅片上载至全自动表面金属收集系统；

第四步：所述全自动表面金属收集系统在制样过程中向硅片表面吹氢氟酸蒸汽4～6分钟；

第五步：所述全自动表面金属收集系统的喷嘴吸取提取液，在硅片表面回收金属离子；

第六步：采用电感耦合等离子质谱仪测试扫描液金属含量，测试出的表面金属含量即经过红外加热炉烘烤的金属离子溢出量。

2.根据权利要求1所述的一种测量硅片体金属的测试方法，其特征在于：在所述第一步中，所述硅片的直径为5inch、6inch或8inch。

3.根据权利要求1所述的一种测量硅片体金属的测试方法，其特征在于：在所述第二步中，所述红外加热炉升温至250±3度，恒温烘烤2小时。

4.根据权利要求1所述的一种测量硅片体金属的测试方法，其特征在于：在所述第四步中，向硅片表面吹氢氟酸蒸汽5分钟，流量为180ul/min，所述全自动表面金属收集系统的喷嘴吸取1000ul提取液。

5.根据权利要求1所述的一种测量硅片体金属的测试方法，其特征在于：所述提取液的配比为0.3％HF+11.4％H₂O₂+88.28％H₂O，HF(氢氟酸)浓度:38％日本多摩化学AA-10纯度，H₂O₂(双氧水)浓度:35％日本多摩化学AA-10纯度，H₂O(超纯水)：电阻率≥18MΩ.cm。

6.根据权利要求1所述的一种测量硅片体金属的测试方法，其特征在于：在第二步完成后，降温至23±2度，待硅片表面达到室温时，使用真空吸笔将硅片取出，上载至全自动表面金属收集系统。

7.根据权利要求1所述的一种测量硅片体金属的测试方法，其特征在于：从所述第一步到所述第六步，测试环境为百级洁净室，室温为23±2度。

8.使用权利要求1所述的一种测量硅片体金属的测试方法的方法，其特征在于：在所述第三步中，所述全自动表面金属收集系统为北京清河智测公司生产的全自动表面金属收集系统，在所述第六步中，电感耦合等离子质谱仪安捷伦7700s电感耦合等离子质谱仪。