[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201910099831.1 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111509045B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/367;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明还公开一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供包括第一区和第二区的半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍部；在鳍部的侧壁形成第一保护层；刻蚀第二区鳍部侧壁的第一保护层，使第二区鳍部侧壁余下的第一保护层的厚度尺寸小于第一区鳍部侧壁第一保护层的厚度尺寸；在相邻鳍部之间形成介质层，并暴露鳍部的部分侧壁或鳍部侧壁的部分第一保护层；和刻蚀暴露的鳍部的部分侧壁或除去暴露的第一保护层，直至暴露第二区鳍部部分侧壁，第一区鳍部顶部的宽度尺寸为l |
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| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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