[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供包括第一区和第二区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；

在所述鳍部的侧壁形成第一保护层；

刻蚀所述第二区鳍部侧壁的所述第一保护层，使所述第二区鳍部侧壁余下的所述第一保护层的厚度尺寸小于所述第一区鳍部侧壁所述第一保护层的厚度尺寸；

在相邻所述鳍部之间形成介质层，并暴露所述鳍部的部分侧壁或所述鳍部侧壁的部分所述第一保护层；和

刻蚀暴露的所述鳍部的部分侧壁或除去暴露的所述第一保护层，直至暴露所述第二区鳍部部分侧壁，所述第一区鳍部顶部的宽度尺寸为l₁，所述第二区鳍部顶部的宽度尺寸为l₂，l₁＞l₂，所述鳍部底部的宽度尺寸大于或等于所述鳍部顶部的宽度尺寸。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，Δl＝l₁-l₂，0.1≤Δl:l₁≤0.3。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二区鳍部侧壁的所述第一保护层的工艺步骤包括：

形成覆盖所述第一区鳍部的中间材料层；和

以所述中间材料层为掩膜刻蚀所述第二区鳍部侧壁的所述第一保护层。

4.根据权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二区鳍部侧壁的所述第一保护层后，暴露所述第二区鳍部侧壁。

5.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述第二区鳍部侧壁的所述第一保护层后，在相邻所述鳍部之间形成介质层前，还包括：除去所述中间材料层；和

形成第二保护层，所述第二保护层设置于所述第一保护层的表面或暴露的所述第二区鳍部的侧壁。

6.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，暴露所述鳍部的部分侧壁或所述鳍部侧壁的部分所述第一保护层的工艺步骤包括：

形成覆盖所述鳍部的介质层；

除去部分所述介质层，以暴露部分所述第二保护层；和

除去暴露的所述第二保护层。

7.根据权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，以所述中间材料层为掩膜刻蚀所述第二区鳍部侧壁的所述第一保护层后，还包括：继续刻蚀部分所述第二区鳍部下方的部分所述半导体衬底，使所述第一区鳍部的高度尺寸小于所述第二区鳍部的高度尺寸。

8.一种根据权利要求1-7中任一项所述的鳍式场效应晶体管的形成方法形成的鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区和第二区，所述半导体衬底上方形成有鳍部，所述鳍部底部的宽度尺寸大于或等于所述鳍部顶部的宽度尺寸，所述第一区鳍部顶部的宽度尺寸为l₁，所述第二区鳍部顶部的宽度尺寸为l₂，l₁＞l₂；

形成于部分所述鳍部侧壁的保护层；和

介质层，所述介质层设置于相邻的所述鳍部之间。

9.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，Δl＝l₁-l₂，

0.1≤Δl:l₁≤0.3。

10.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述第一区鳍部的高度尺寸为h₁，所述第二区鳍部的高度尺寸为h₂，h₁＜h₂。

11.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述第一区鳍部侧壁的所述保护层的厚度尺寸大于所述第二区鳍部侧壁的所述保护层的厚度尺寸。