[发明专利]补偿非易失存储元件编程时电荷流失与源极线偏置的方法有效
| 申请号： | 201910097767.3 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111429961B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 杜君毅;蔡明璋;翁瑞隆 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种补偿非易失性存储元件在编程时电荷流失与源极线偏置的方法，其步骤包含以第一参考电压读取前次编程页来产生原前次编程模式、将该原前次编程模式与当前编程模式合并以产生合并后编程模式、以第二参考电压读取该前次编程页来产生检验后前次编程模式、以及将该检验后前次编程模式与该合并后编程模式合并以产生补偿后当前编程模式，其中该第二参考电压高于该第一参考电压。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 非易失 存储 元件 编程 电荷 流失 源极线 偏置 方法 | ||
【主权项】：
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