[发明专利]一种基于量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器及其应用有效
| 申请号： | 201910095806.6 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109738411B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 付海燕;陈亨业;王硕;佘远斌 | 申请（专利权）人： | 中南民族大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 刘秋芳;张秋燕 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于量子点荧光猝灭的新型仿生阵列传感器，以碲化镉量子点为荧光染料，以不同浓度梯度的不同缓冲溶液为缓冲体系构建阵列传感器。相比于需要多种有机染料为反应点的阵列传感器，本发明仅使用一种量子点，结合不同浓度和类型的缓冲液组成阵列传感器，具有制作简单、成本低廉和容易量产等优点，并能被广泛用于多种富含有机酸样品的鉴别。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列传感器 量子点 仿生阵列 传感器 荧光 猝灭 碲化镉量子点 缓冲溶液 缓冲体系 浓度梯度 荧光染料 有机染料 反应点 缓冲液 有机酸 富含 构建 量产 鉴别 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于碲化镉量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器，其特征在于以CdTe‑TGA量子点为荧光染料，分别以M种缓冲溶液分别作为缓冲体系，构建一个M乘N的阵列传感器，其中M、N均为大于等于4的整数，M种缓冲溶液的浓度梯度设置为N‑1个；阵列传感器的首行或首列反应孔中均为CdTe‑TGA量子点溶液；M种缓冲溶液分别以不同浓度与CdTe‑TGA量子点溶液混合，组成仿生阵列传感器的剩余反应孔；且，每一种缓冲溶液位于同一列或者同一行。
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