[发明专利]一种基于量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器及其应用

权利要求书

1.一种基于碲化镉量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器，其特征在于以CdTe-TGA量子点为荧光染料，分别以M种缓冲溶液分别作为缓冲体系，构建一个M乘N的阵列传感器，其中M、N均为大于等于4的整数，M种缓冲溶液的浓度梯度设置为N-1个；阵列传感器的首行或首列反应孔中均为CdTe-TGA量子点溶液；M种缓冲溶液分别以不同浓度与CdTe-TGA量子点溶液混合，组成仿生阵列传感器的剩余反应孔；且，每一种缓冲溶液位于同一列或者同一行。

2.一种基于碲化镉量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器，其特征在于以CdTe-TGA量子点为荧光染料，分别以4种缓冲溶液分别作为缓冲体系，构建一个4乘4的阵列传感器，阵列传感器的首行或首列反应孔中均为CdTe-TGA量子点溶液；4种缓冲溶液分别以高浓度、中浓度、低浓度三种浓度梯度与CdTe-TGA量子点溶液混合，组成仿生阵列传感器的剩余反应孔。

3.根据权利要求2所述的一种基于碲化镉量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器，其特征在于所述4种缓冲溶液为缓冲溶液Ⅰ、缓冲溶液Ⅱ、缓冲溶液Ⅲ、缓冲溶液Ⅳ，pH范围分别为7-7.5，7.5-8.0，8.0-8.5，8.5-9.0。

4.根据权利要求2所述的一种基于碲化镉量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器，其特征在于所述高浓度缓冲溶液的浓度均为3-10 mmol/L，中浓度缓冲溶液的浓度均为2-5 mmol/L，低浓度缓冲溶液的浓度均为0-1.5 mmol/L。

5.根据权利要求2所述的一种基于碲化镉量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器，其特征在于所述仿生阵列传感器中每一个反应孔中CdTe-TGA量子点的浓度均相同。

6.权利要求2所述的基于碲化镉量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器在鉴别有机酸样品方面的应用。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于应用方法为：将仿生阵列传感器的每一个反应孔中平行添加有机酸样品进行反应，反应后将各反应孔的色变转化成RGB值，通过化学计量学方法对所述RGB值进行判别，从而对所加有机酸样品的种类和品质进行鉴别。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于所述有机酸样品中有机酸在反应孔中的浓度在0.5-2 mmol/L范围内。

9.根据权利要求7所述的应用，其特征在所述每一个反应孔中平行添加有机酸样品进行反应的条件为室温混合反应8-12min。