[发明专利]一种单晶硅倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用在审
申请号: | 201910086667.0 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN109881250A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 叶继春;高平奇;李思众;杨熹;韩灿 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B33/10;H01L31/0236 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 王正君;徐迅 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用。具体地,本发明提供了一种单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面的制备方法,包括:在所述基片的至少一个主表面上生成聚合物微球单层薄膜,得到基片‑聚合物微球单层薄膜;在所述基片‑聚合物微球单层薄膜上生成掩膜层,得到基片‑聚合物微球单层薄膜‑掩膜层;除去所述基片‑聚合物微球单层薄膜‑掩膜层中的聚合物微球,使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元;腐蚀未覆盖所述掩膜的单元为倒金字塔形压槽,在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔阵列结构绒面。本发明制备倒金字塔阵列结构绒面方法工艺简单,成本低廉,克服了现有技术无法大规模生成,制备条件要求苛刻等缺点。 | ||
搜索关键词: | 聚合物微球 单层薄膜 倒金字塔 阵列结构 绒面 掩膜层 主表面 制备方法和应用 单晶硅表面 掩膜 制备 倒金字塔形 单晶硅 制备条件 覆盖 压槽 腐蚀 | ||
【主权项】:
1.一种单晶硅绒面的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)在基片的一个主表面上生成聚合物微球单层薄膜,得到基片‑聚合物微球单层薄膜;(b)在所述基片‑聚合物微球单层薄膜上生成掩膜层,得到基片‑聚合物微球单层薄膜‑掩膜层,所述掩膜层为氮化硅;(c)除去所述基片‑聚合物微球单层薄膜‑掩膜层中的聚合物微球,使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元;(d)腐蚀未覆盖所述掩膜的单元,使其形成倒金字塔形压槽,从而在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔阵列结构绒面;且所述步骤(a)包括:通过自组装技术生成单层有序周期排布的聚合物微球薄膜;和将所述聚合物微球薄膜铺到所述基片的一个主表面上;并且所述步骤(a)包括:提供一表面具有亲水性的基片;通过漂移法生成单层有序周期排布的聚合物微球薄膜;将所述表面具有亲水性的基片放入液面浮有聚合物微球薄膜的溶液,通过液面沉降法降低所述液面浮有聚合物微球薄膜的溶液的液面,从而将所述聚合物微球薄膜沉降到事先放置好的所述基片表面;其中,所述漂移法是指在空气‑液体界面上形成2D聚合物微球周期阵列,然后将该阵列转移到基片上作为掩膜,并且所述掩膜层的生成方式为等离子体化学气相沉积,利用所述等离子化学气相沉积生成所述掩膜层的生成温度为70‑80℃。
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