[发明专利]一种单晶硅倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种单晶硅绒面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)在基片的一个主表面上生成聚合物微球单层薄膜，得到基片-聚合物微球单层薄膜；

(b)在所述基片-聚合物微球单层薄膜上生成掩膜层，得到基片-聚合物微球单层薄膜-掩膜层，所述掩膜层为氮化硅；

(c)除去所述基片-聚合物微球单层薄膜-掩膜层中的聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元；

(d)腐蚀未覆盖所述掩膜的单元，使其形成倒金字塔形压槽，从而在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔阵列结构绒面；

且所述步骤(a)包括：

通过自组装技术生成单层有序周期排布的聚合物微球薄膜；和

将所述聚合物微球薄膜铺到所述基片的一个主表面上；

并且所述步骤(a)包括：

提供一表面具有亲水性的基片；

通过漂移法生成单层有序周期排布的聚合物微球薄膜；

将所述表面具有亲水性的基片放入液面浮有聚合物微球薄膜的溶液，通过液面沉降法降低所述液面浮有聚合物微球薄膜的溶液的液面，从而将所述聚合物微球薄膜沉降到事先放置好的所述基片表面；

其中，所述漂移法是指在空气-液体界面上形成2D聚合物微球周期阵列,然后将该阵列转移到基片上作为掩膜，并且所述掩膜层的生成方式为等离子体化学气相沉积，利用所述等离子化学气相沉积生成所述掩膜层的生成温度为70-80℃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用所述等离子化学气相沉积生成所述掩膜层的生成温度为80℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用所述等离子化学气相沉积生成所述掩膜层的生成温度为70℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法由所述步骤(a)、所述步骤(b)、所述步骤(c)和所述步骤(d)组成。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物微球为聚合物纳米球，所述聚合物纳米球的直径为50～1000nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物纳米球的直径为200～700nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(c)包括以下步骤：

高温分解所述聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(c)包括以下步骤：

在可溶解所述聚合物微球的溶液中超声去除所述聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(d)包括：

保留或全部去除所述掩膜层。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(d)中，所述的腐蚀在碱性溶液中进行。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液选自下组：氢氧化钾/异丙醇体系溶液、氢氧化钠/异丙醇体系溶液、四甲基氢氧化铵溶液，或其组合。