[发明专利]一种提高动态范围的像素结构与驱动方式有效
申请号: | 201910080941.3 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN109819183B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 高静;龚雨琛;徐江涛;聂凯明 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H04N5/355 | 分类号: | H04N5/355;H04N5/374;H04N5/235 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 韩新城 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明公开一种提高动态范围的像素结构与驱动方式。该像素结构包括N型MOS管M1‑M6,M1为像素传输管,M2、M3为开关管,M4为FD节点的复位管,M5为源级跟随器,M6为像素选通管,M1的源端接光电二极管PPD,漏端接FD节点和M5的栅极,M2、M3源端接M1栅极,M3漏端接电源V |
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搜索关键词: | 一种 提高 动态 范围 像素 结构 驱动 方式 | ||
【主权项】:
1.一种提高动态范围的像素结构,其特征在于,包括六个N型MOS管,其中,N型MOS管M1为像素传输管,N型MOS管M2与N型MOS管M3为开关管,N型MOS管M4为FD节点的复位管,N型MOS管M5为源级跟随器,N型MOS管M6为像素选通管;N型MOS管M1的源端接光电二极管PPD、漏端接FD节点和N型MOS管M5的栅极;N型MOS管M2与N型MOS管M3源端接N型MOS管M1栅极,N型MOS管M3漏端接电源Vramp,N型MOS管M2的漏端接控制信号TX,N型MOS管M2与N型MOS管M3栅极分别接开关SW1、SW2;N型MOS管M4的源端接FD节点、漏端接电源电压VDD;N型MOS管M5的漏端接电源VDD,源端接N型MOS管M6的漏端。
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