[发明专利]一种提高动态范围的像素结构与驱动方式有效

专利信息
申请号: 201910080941.3 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN109819183B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 高静;龚雨琛;徐江涛;聂凯明 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04N5/355 分类号: H04N5/355;H04N5/374;H04N5/235
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人: 韩新城
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种提高动态范围的像素结构与驱动方式。该像素结构包括N型MOS管M1‑M6,M1为像素传输管,M2、M3为开关管,M4为FD节点的复位管,M5为源级跟随器,M6为像素选通管,M1的源端接光电二极管PPD,漏端接FD节点和M5的栅极,M2、M3源端接M1栅极,M3漏端接电源Vramp,M4的源端接FD节点,漏端接电源电压VDD,M5的漏端接电源VDD,源端接M6的漏端。本发明通过在像素曝光过程中,使传输栅电势从大到小变化,降低PPD达到饱和的速度,从而提升传感器响应光照量的范围,提升传感器动态范围。
搜索关键词: 一种 提高 动态 范围 像素 结构 驱动 方式
【主权项】:
1.一种提高动态范围的像素结构,其特征在于,包括六个N型MOS管,其中,N型MOS管M1为像素传输管,N型MOS管M2与N型MOS管M3为开关管,N型MOS管M4为FD节点的复位管,N型MOS管M5为源级跟随器,N型MOS管M6为像素选通管;N型MOS管M1的源端接光电二极管PPD、漏端接FD节点和N型MOS管M5的栅极;N型MOS管M2与N型MOS管M3源端接N型MOS管M1栅极,N型MOS管M3漏端接电源Vramp,N型MOS管M2的漏端接控制信号TX,N型MOS管M2与N型MOS管M3栅极分别接开关SW1、SW2;N型MOS管M4的源端接FD节点、漏端接电源电压VDD;N型MOS管M5的漏端接电源VDD,源端接N型MOS管M6的漏端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910080941.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top