[发明专利]一种制备SOT-MRAM底电极的方法在审
| 申请号： | 201910079796.7 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109888089A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;朱道乾;曹凯华;乔俊峰 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/10;H01L43/04 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制备SOT‑MRAM底电极的方法，该方法是通过制备多层膜而非生长单一材料来制备SOT‑MRAM的底电极。所述的多层膜，每一层材料的选择为：具备强自旋‑轨道耦合的非磁材料的一种，或具备弱自旋‑轨道耦合的非磁材料中的一种，或铁磁材料中的一种。本发明方法制备工艺简单，与现有磁存储技术完全兼容。一方面，通过结合不同材料的优点，可制备高自旋霍尔电导率的材料，从而克服传统SOT‑MRAM底电极电阻率过高的问题，有利于降低SOT‑MRAM的功耗并提高器件集成度；另一方面，不同材料之间的界面可产生含有垂直方向分量的自旋流，从而有望实现垂直磁隧道结的无场翻转。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 底电极 自旋 非磁材料 多层膜 耦合的 垂直方向分量 电导率 垂直磁隧道 器件集成度 单一材料 铁磁材料 一层材料 制备工艺 翻转 磁存储 电阻率 功耗 轨道 霍尔 无场 兼容 生长 | ||
【主权项】：
1.一种制备SOT‑MRAM底电极的方法，其特征在于：该方法是通过制备多层膜而非生长单一材料来制备SOT‑MRAM的底电极。
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