[发明专利]RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法

摘要

本发明提供一种RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，在栅极一侧的外延层形成第一N漂移区，其N型注入浓度小于原始工艺中一次形成的N型注入浓度；在栅极另一侧外延层浅层形成沟道，在栅极、源极和漏极上分别形成金属硅化物；在栅极侧壁形成侧墙；在第一N漂移区一侧的外延层形成第二N漂移区，第一N漂移区和第二N漂移区的N型注入浓度总和不小于原始工艺中一次形成的N型注入浓度；栅极上方形成法拉第环。本发明将N型漂移区注入分成两次形成，并漏端靠近栅极的N型注入浓度比原始工艺低，降低了栅极边缘靠近漏端的电场强度，在得到较大功率密度的同时，降低了栅极边缘靠近漏端的电场强度，也优化了器件的热载流子注入性能。

主权项

1.一种RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供一基底，在所述基底上表面形成外延层；步骤二、在所述外延层上依次淀积栅氧化层和位于所述栅氧化层上的多晶硅层；步骤三、将所述多晶硅层制作成栅极；步骤四、在所述栅极其中一侧边缘的外延层浅层区域形成第一N漂移区，所述第一N漂移区的N型注入浓度小于原始工艺中一次形成的N型注入浓度；步骤五、在所述栅极的另一侧外延层浅层区域形成沟道，在所述沟道和第一N漂移区中分别形成源极和漏极；步骤六、在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙；步骤七、在所述第一N漂移区一侧的所述外延层浅层区域形成第二N漂移区，所述第一N漂移区和第二N漂移区的N型注入浓度总和不小于所述原始工艺中一次形成的N型注入浓度；步骤八、在所述栅极、源极和漏极上分别形成金属硅化物；步骤九、在所述栅极上方靠近漏极的区域形成法拉第环。