[发明专利]RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法

权利要求书

1.一种RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供一基底，在所述基底上表面形成外延层；

步骤二、在所述外延层上依次淀积栅氧化层和位于所述栅氧化层上的多晶硅层；

步骤三、将所述多晶硅层制作成栅极；

步骤四、在所述栅极其中一侧边缘的外延层浅层区域形成第一N漂移区，所述第一N漂移区的N型注入浓度小于原始工艺中一次形成的N型注入浓度；

步骤五、在所述栅极的另一侧外延层浅层区域形成沟道，在所述沟道和第一N漂移区中分别形成源极和漏极；

步骤六、在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙；

步骤七、在所述第一N漂移区一侧的所述外延层浅层区域形成第二N漂移区，所述第一N漂移区和第二N漂移区的N型注入浓度总和不小于所述原始工艺中一次形成的N型注入浓度；

步骤八、在所述栅极、源极和漏极上分别形成金属硅化物；

步骤九、在所述栅极上方靠近漏极的区域形成法拉第环。

2.根据权利要求1所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：步骤一中所述基底为P型基底，所述外延层为P型外延层。

3.根据权利要求2所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：步骤三中将所述多晶硅层制作成栅极的步骤包含：对所述多晶硅层进行光刻定义出栅极，之后进行多晶硅的刻蚀形成栅极。

4.根据权利要求3所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：步骤六中在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙的步骤包含：首先在所述栅氧化层上依次淀积一层覆盖所述栅极侧壁的氧化层和一层氮化硅，之后将所述氧化硅和氮化硅进行刻蚀，形成栅极侧墙。

5.根据权利要求4所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：在所述栅氧化层上淀积氧化层的厚度为100A～500A，淀积所述氮化硅的厚度为200A～1000A。

6.根据权利要求1或5所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：步骤五中形成源极和漏极的方法为：在所述沟道浅层区域形成N+注入和P+注入；在所述第一N漂移区中形成N+注入。

7.根据权利要求6所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：步骤八中在所述栅极、源极和漏极上分别形成金属硅化物的方法为：通过沉积金属、退火以及清洗的方法形成。

8.根据权利要求7所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：步骤七中所述第一N漂移区和第二N漂移区的N型注入浓度总和等于或略大于所述原始工艺中一次形成的N型注入浓度。

9.根据权利要求8所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：步骤七中形成所述第二N型漂移区的方法是依靠所述栅极侧墙自对准进行N型离子注入。

10.根据权利要求1所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：步骤九中在所述栅极上方靠近漏极的区域形成法拉第环的方法包括：首先形成覆盖所述栅极、源极和漏极上表面的氧化硅层和WSi层，之后依次进行光刻和刻蚀形成法拉第环。

11.根据权利要求10所述的RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法，其特征在于：覆盖所述栅极、源极和漏极上表面的氧化硅层的厚度为500A～1000A。