[发明专利]一种分栅SONOS存储器件

摘要

本发明提供一种分栅SONOS存储器件，形成于衬底上的栅氧化层和氮氧化层；栅氧化层上设有选择管多晶硅栅、顶端氧化层及隔离层；氮氧化层上有存储管多晶硅栅；氮氧化层和存储管多晶硅栅一侧紧靠隔离层；位于选择管多晶硅栅和存储管多晶硅栅下方的存储管P型阱；选择管的源端与选择管多晶硅栅之间的衬底沟道有P型硼注入区；存储管多晶硅栅下方P型衬底的沟道有N型砷注入区。本发明形成选择管单边硼注入区、源端单边砷或锑注入区，硼注入区中的硼扩散到选择管沟道中实现选择管阈值电压调整；存储管的阈值电压调整通过形成N型砷注入区；最终实现选择管阈值电压调整和存储管器件的阈值电压调整之间互不影响，提高器件性能，降低制造成本。

主权项

1.一种分栅SONOS存储器件，其特征在于，该器件至少包括：P型衬底及形成于所述P型衬底上的栅氧化层和ONO氮氧化层；所述栅氧化层上依次设有选择管多晶硅栅和位于所述选择管多晶硅栅上的顶端氧化层，三者构成层叠结构；覆盖所述层叠结构侧壁的隔离层；衬底上的所述ONO氮氧化层的上表面设有存储管多晶硅栅；所述ONO氮氧化层和所述存储管多晶硅栅的一个侧壁紧靠所述层叠结构一侧的隔离层；形成于所述选择管多晶硅栅和存储管多晶硅栅下方、所述P型衬底表面区域的存储管P型阱；所述选择管多晶硅栅远离所述存储管多晶硅栅的一侧设有源端；所述源端与所述选择管多晶硅栅之间的P型衬底沟道表面形成有P型硼注入区；所述存储管多晶硅栅下方P型衬底的沟道表面形成有N型砷注入区；所述存储管多晶硅栅远离所述选择管多晶硅栅的一侧设有漏端。