[发明专利]包括自对准接触的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910071670.5 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110299321A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 裴根熙;康诚右;权奇相;李东锡;李相炫;李正允;全庸淏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极 侧壁 半导体器件 导电接触 顶表面 间隔物 蚀刻停止层 介电常数 氧化硅 衬底 图案 产品可靠性 自对准接触 表面延伸 低k材料 覆盖 填充 制造 改进 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
