[发明专利]包括自对准接触的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

位于所述衬底上的栅电极；

位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；

位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；

由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；

沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及

位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，

其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述覆盖图案的与所述导电接触相邻的侧壁包括第一侧壁部分和第二侧壁部分，所述第二侧壁部分形成在所述第一侧壁部分上方并且所述第二侧壁部分的斜率小于所述第一侧壁部分的斜率。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层包括第一膜和第二膜，所述第一膜沿着所述第一侧壁部分并且沿着所述栅电极的顶表面延伸，所述第二膜沿着所述第一侧壁部分和所述第二侧壁部分并且沿着所述第一间隔物的侧壁延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层还包括第三膜，所述第三膜形成在所述第一膜上并沿着所述覆盖图案的底表面以及所述第一侧壁部分和所述第二侧壁部分延伸。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层包括第一膜和第二膜，所述第一膜沿着所述第一侧壁部分并且沿着所述栅电极的顶表面延伸，所述第二膜形成在所述第一膜上并沿着所述覆盖图案的底表面以及所述第一侧壁部分和所述第二侧壁部分延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层包括氮化铝、氧化铝、氧化硅、氮化硅和它们的组合中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第二间隔物，所述第二间隔物位于所述第一间隔物与所述导电接触之间，并且突出超过所述第一间隔物的顶表面，

其中，所述导电接触沿着所述覆盖图案的侧壁并且沿着所述第二间隔物的侧壁延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述覆盖图案的与所述导电接触相邻的侧壁包括第一侧壁部分和第二侧壁部分，所述第二侧壁部分形成在所述第一侧壁部分上方并且所述第二侧壁部分的斜率小于所述第一侧壁部分的斜率，

所述第二间隔物的与所述导电接触相邻的侧壁包括第三侧壁部分和第四侧壁部分，所述第四侧壁部分形成在所述第三侧壁部分上方并且所述第四侧壁部分的斜率小于所述第三侧壁部分的斜率，以及

所述第二侧壁部分的斜率小于所述第四侧壁部分的斜率。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二间隔物包括氮化硅。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上并且包括沟槽的层间绝缘膜，所述沟槽具有下部和上部；

填充所述沟槽的下部的栅电极；

沿着所述沟槽的上部的至少第一侧壁并且沿着所述栅电极的顶表面延伸的蚀刻停止层；

形成在所述蚀刻停止层上并填充所述沟槽的上部的覆盖图案；以及

形成在所述栅电极的侧壁和所述覆盖图案的侧壁上的导电接触，所述导电接触穿透所述层间绝缘膜，

其中，所述蚀刻停止层至少部分地沿着所述导电接触的部分侧壁延伸，并且

所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

位于所述栅电极的侧壁上的栅极间隔物；

其中，所述沟槽的下部由所述衬底的顶表面和所述栅极间隔物的侧壁限定。