[发明专利]用于半导体制造的晶片质量监控方法在审
| 申请号： | 201910068347.2 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN111477562A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王慧玲;王天文;张俊龙;陈逸群;林儿萱;吕升叡;潘若玲;郑立扬;吴永斌;陈冠斌;瑞霍·米纳;游惠群;何家鸣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体制造的晶片质量监控方法，包含有：测量晶片表面的多个采样点，以获得多个测量值；根据所述测量值绘制预估晶片地形图，其包含有多个第一像素，所述第一像素分别包含有第一像素值；提供最佳晶片地形图，其包含有多个第二像素，所述第二像素分别包含有第二像素值；比对所述预估晶片地形图与所述最佳晶片地形图；当所述第一像素其中的任一个的所述第一像素值与相对应的所述第二像素的所述第二像素值的差异超过容忍范围时，将所述第一像素定义为超出管制单元；以及当所述超出管制单元的数量高于一值时，确定所述晶片不合规范。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 晶片 质量 监控 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
