[发明专利]用于半导体制造的晶片质量监控方法

权利要求书

1.一种用于半导体制造的晶片质量监控方法，包含有：

测量经历工艺事件的晶片的表面上的多个采样点，以获得多个测量值；

根据所述测量值绘制预估晶片地形图，所述预估晶片地形图包含有多个第一像素，且所述第一像素分别包含有第一像素值；

提供最佳晶片地形图，所述最佳晶片地形图包含有多个第二像素，且所述第二像素分别包含有第二像素值；

比对所述预估晶片地形图与所述最佳晶片地形图；

当所述第一像素其中的任一个的所述第一像素值与相对应的所述第二像素的所述第二像素值的差异超过容忍范围时，将所述第一像素定义为超出管制单元；以及当所述超出管制单元的数量高于一值时，确定所述晶片不合规范。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绘制所述预估晶片地形图的步骤更包含：

于所述预估晶片地形图上绘制多个封闭轮廓线或开放轮廓线，所述封闭轮廓线或开放轮廓线分别连接包含有相同的测量值的采样点；以及

于所述封闭轮廓线或开放轮廓线之间分别填入色块区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中每一色块区域内包含有所述第一像素，且每一色块区域内的所述第一像素包含有相同的所述第一像素值。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述色块区域包含颜色相同亮度不同的色块区域，或包含颜色不同的色块区域。

5.根据权利要求1所述的方法，更包含将经历所述工艺事件的不同批次的所述晶片产生的多个预估晶片地形图存储。

6.根据权利要求5所述的方法，更包含：

根据所述预估晶片地形图建立常态分布模型；

辨识出所述常态分布模型中一范围之内的某些所述预估晶片地形图；以及

根据所述范围之内的所述预估晶片地形图修正所述最佳晶片地形图。

7.一种用于半导体制造的晶片质量监控方法，包含有：

测量经历工艺事件的晶片的表面上的多个采样点，以获得多个测量值；

根据所述测量值绘制预估晶片地形图，所述预估晶片地形图包含有多个第一像素，且所述第一像素分别包含有第一像素值；

提供最佳晶片地形图，所述最佳晶片地形图包含有多个第二像素，且所述第二像素分别包含有第二像素值；

比对所述预估晶片地形图与所述最佳晶片地形图；

当所述第一像素其中的任一个的所述第一像素值与相对应的所述第二像素的所述第二像素值的差异超过容忍范围时，将所述第一像素定义为超出管制单元并以第一警告色着色；以及

当所述超出管制单元的数量高于一值时，确定所述晶片不合规范。

8.根据权利要求7所述的方法，更包含当所述第一像素值与所述第二像素值的差异低于所述容忍范围时，将所述第一像素以第二警告色着色，且所述第一警告色与所述第二警告色不同。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述范围是所述第二像素值的两个标准差之内的范围。

10.一种用于半导体制造的晶片质量监控方法，包含有：

测量经历工艺事件的晶片的表面上的多个采样点，以获得多个测量值；

根据所述测量值绘制预估晶片地形图(200)，所述预估晶片地形图包含有多个第一像素，且所述第一像素分别包含有第一像素值；

提供最佳晶片地形图(300)，所述最佳晶片地形图包含有多个第二像素，且所述第二像素分别包含有第二像素值；

比对所述预估晶片地形图与所述最佳晶片地形图；

当所述第一像素其中的任一个的所述第一像素值与相对应的所述第二像素的所述第二像素值的差异超过容忍范围时，将所述第一像素定义为超出管制单元；以及将所有第一像素值与所述第二像素值的差异皆位于所述容忍范围之内的晶片进行晶片允收测试，以验证所述最佳晶片地形图。