[发明专利]晶片的标记方法、晶圆及晶片在审
| 申请号： | 201910058383.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111415881A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 车行远;吕景元;吕美蓉 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶片的标记方法，包括以下步骤。提供晶圆，其中晶圆包括多个晶片。在晶圆上划分出多个曝光区，其中每个曝光区对应到多个晶片中的至少一个。利用第一掩膜形成每个晶片中的第一坐标轴上的多个第一符号与第二坐标轴上的多个第二符号。利用第二掩膜与重迭偏移的曝光方式形成每个曝光区的每个晶片中的代表曝光区坐标的坐标符号，其中不同曝光区中的不同坐标符号在由第一坐标轴与第二坐标轴所形成的坐标系中具有不同坐标。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 标记 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
