[发明专利]晶片的标记方法、晶圆及晶片

权利要求书

1.一种晶片的标记方法，包括：

提供晶圆，其中所述晶圆包括多个晶片；

在晶圆上划分出多个曝光区，其中每个曝光区对应到所述多个晶片中的至少一个；

利用第一掩膜形成每个晶片中的第一坐标轴上的多个第一符号与第二坐标轴上的多个第二符号；以及

利用第二掩膜与重迭偏移的曝光方式形成每个曝光区的每个晶片中的代表曝光区坐标的坐标符号，其中不同曝光区中的不同坐标符号在由所述第一坐标轴与所述第二坐标轴所形成的坐标系中具有不同坐标。

2.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述多个第一符号、所述多个第二符号与所述坐标符号位在每个晶片中的同一层中。

3.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述多个第一符号与所述多个第二符号位在每个晶片中的同一层中，且所述多个第一符号与所述坐标符号位在每个晶片中的不同层中。

4.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中以上视方式观察，所述坐标符号位在所述坐标系中。

5.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中先形成所述多个第一符号与所述多个第二符号，再形成所述坐标符号。

6.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中先形成所述坐标符号，再形成所述多个第一符号与所述多个第二符号。

7.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述多个第一符号与所述多个第二符号的形成方法包括使用所述第一掩膜对膜层进行图案化制程。

8.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述坐标符号的形成方法包括使用所述第二掩膜对膜层进行图案化制程。

9.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述第一掩膜包括用于形成所述多个第一符号的图案与用于形成所述多个第二符号的图案。

10.如权利要求9所述的晶片的标记方法，其中所述第一掩膜更包括用于形成晶片编号的图案与用于形成元件的图案中的至少一者。

11.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述第二掩膜包括用于形成所述坐标符号的图案。

12.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中通过用于形成所述坐标符号的膜层来形成元件，且用于形成所述坐标符号与所述元件的微影制程包括：

在所述膜层上形成光阻层；

分别使用用于形成所述坐标符号的所述第二掩膜与用于形成所述元件的掩膜对所述光阻层进行曝光制程；以及

对进行所述曝光制程后的所述光阻层进行显影制程。

13.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述多个第一符号与所述多个第二符号包括递增的多个数字。

14.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述坐标符号的数量为一个。

15.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述坐标符号的数量为多个。

16.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述坐标符号的形状包括L形、点状、多边形或其组合。

17.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述多个第一符号、所述多个第二符号与所述坐标符号位在每个晶片的空旷区中。

18.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述坐标系包括直角坐标系。